[发明专利]薄膜晶体管像素结构及其修复方法有效
| 申请号： | 201110140397.0 | 申请日： | 2011-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN102629043A | 公开（公告）日： | 2012-08-08 |
| 发明（设计）人： | 吴松 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/1362 | 分类号： | G02F1/1362;G02F1/1368;G02F1/13;H01L27/02;H01L21/77 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 罗建民;陈源 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种薄膜晶体管像素结构，其中能够利用激光焊接和激光切断来修复点缺陷以及数据线断线的薄膜晶体管像素结构。本发明还涉及能够应用于上述薄膜晶体管像素结构的修复方法。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 像素 结构 及其 修复 方法 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管像素结构，包括像素电极和公共电极线，所述像素电极与第一薄膜晶体管的漏极相连接，所述第一薄膜晶体管的源极连接至数据线，并且所述数据线与所述公共电极线以及栅极线交叉；所述薄膜晶体管像素结构的特征在于，还包括预设的辅助薄膜晶体管，当所述像素结构中出现缺陷时，能够通过将所述辅助薄膜晶体管选择性地连接至所述像素结构来修复所述缺陷。
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