[发明专利]鳍式场效应晶体管的制造方法

摘要

本发明实施例公开了一种鳍式晶体管的制造方法，在形成鳍后，在鳍上形成横跨鳍的伪栅条，在伪栅条两侧的覆盖层和第一介质层内形成源漏窗口，该源漏窗口在被伪栅条覆盖的鳍的两侧并为由周围的覆盖层和第一介质层等包围的窗口区域，在该源漏窗口内形成源漏区时，通过源漏区形成过程中晶格不匹配产生应力，并由于第一介质层的源漏窗口的限制作用使源漏区应力施加在沟道中，从而提高器件的迁移率，进而改善器件的性能。

主权项

一种鳍式场效应晶体管的制造方法，其特征在于，包括：提供衬底；在所述衬底上形成鳍，以及在所述鳍之外的衬底上形成第一介质层；在所述第一介质层和鳍上形成横跨所述鳍的伪栅条，以及在伪栅条之外的第一介质层和鳍上形成覆盖层，所述覆盖层上表面与所述伪栅条上表面在同一平面；去除伪栅条两侧的部分覆盖层和第一介质层，以形成源漏窗口，所述源漏窗口内包括伪栅条两侧的鳍；填充所述源漏窗口，以与伪栅条两侧的鳍一同形成源漏区；去除部分伪栅条及伪栅条下的第一介质层，以形成栅区开口，所述栅区开口包括伪栅条下的鳍；填充所述栅区开口形成覆盖所述鳍的栅极。