[发明专利]半导体封装结构有效
申请号: | 201110151958.7 | 申请日: | 2011-06-08 |
公开(公告)号: | CN102820402A | 公开(公告)日: | 2012-12-12 |
发明(设计)人: | 张耀祖 | 申请(专利权)人: | 展晶科技(深圳)有限公司;荣创能源科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L33/48 | 分类号: | H01L33/48;H01L33/50;H01L33/56 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 518109 广东省深圳市宝*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明提供一种半导体封装结构,包括一个封装层、至少一个半导体晶粒以及两个电极。所述封装层包覆所述半导体晶粒以及两个电极,所述半导体晶粒与所述两个电极电性连接,并产生一个第一波长光线。所述封装层包括至少一种荧光粉以及一种光补偿物质,所述荧光粉产生一个第二波长激发光线,所述光补偿物质产生一个第三波长激发光线,所述荧光粉的热衰特性与所述光补偿物质的热衰特性相反。本发明藉由激发光线的热衰特性互补作用,避免所述半导体封装结构因热衰而变色。 | ||
搜索关键词: | 半导体 封装 结构 | ||
【主权项】:
一种半导体封装结构,包括一个封装层、至少一个半导体晶粒以及两个电极,所述封装层包覆所述半导体晶粒以及两个电极,所述半导体晶粒与所述两个电极电性连接,并产生一个第一波长光线,其特征在于:所述封装层包括至少一种荧光粉以及一种光补偿物质,所述荧光粉产生一个第二波长激发光线,所述光补偿物质产生一个第三波长激发光线,所述荧光粉的热衰特性与所述光补偿物质的热衰特性相反。
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