[发明专利]一种平板X射线探测器无效
申请号: | 201110153349.5 | 申请日: | 2011-06-09 |
公开(公告)号: | CN102306653A | 公开(公告)日: | 2012-01-04 |
发明(设计)人: | 邱承彬;刘琳 | 申请(专利权)人: | 上海奕瑞光电子科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;G01T1/08 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 逯长明 |
地址: | 201201 上海市浦东新区张江*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种平板X射线探测器及其制备方法,所述平板X射线探测器包括衬底、TFT、光电二极管和电容。其中,所述衬底包括由多个TFT和光电二极管组成的阵列区域;TFT的底栅和电容的下电极制作在衬底上方;光电二极管位于电容的上方,电容的上电极为光电二极管的下电极。相应的,本发明还提供一种平板X射线探测器的制备方法。在制作TFT的栅极时同步制作了位于光电二极管下方的电容下电极,不需要额外工艺制作电容来实现X射线的自动曝光控制功能,可以节约制造成本,并且电容制作在光电二极管的下方,不会影响X射线的影像质量。 | ||
搜索关键词: | 一种 平板 射线 探测器 | ||
【主权项】:
一种平板X射线探测器,其特征在于,包括:衬底,所述衬底上包括多个TFT和光电二极管组成的阵列区域;所述衬底上的栅层,所述栅层中包括TFT的底栅和电容下电极,所述电容下电极位于所述光电二极管区域的下方;所述栅层上方的介质层,所述介质层覆盖在所述TFT和光电二极管区域;位于光电二极管区域介质层上方的电容上电极,所述电容上电极与所述介质层和所述电容下电极形成电容;所述电容的上电极上方的光电二极管,所述光电二极管的下电极为所述电容的上电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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