[发明专利]一种平板X射线探测器无效

专利信息
申请号: 201110153349.5 申请日: 2011-06-09
公开(公告)号: CN102306653A 公开(公告)日: 2012-01-04
发明(设计)人: 邱承彬;刘琳 申请(专利权)人: 上海奕瑞光电子科技有限公司
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146;G01T1/08
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 逯长明
地址: 201201 上海市浦东新区张江*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明提供一种平板X射线探测器及其制备方法,所述平板X射线探测器包括衬底、TFT、光电二极管和电容。其中,所述衬底包括由多个TFT和光电二极管组成的阵列区域;TFT的底栅和电容的下电极制作在衬底上方;光电二极管位于电容的上方,电容的上电极为光电二极管的下电极。相应的,本发明还提供一种平板X射线探测器的制备方法。在制作TFT的栅极时同步制作了位于光电二极管下方的电容下电极,不需要额外工艺制作电容来实现X射线的自动曝光控制功能,可以节约制造成本,并且电容制作在光电二极管的下方,不会影响X射线的影像质量。
搜索关键词: 一种 平板 射线 探测器
【主权项】:
一种平板X射线探测器,其特征在于,包括:衬底,所述衬底上包括多个TFT和光电二极管组成的阵列区域;所述衬底上的栅层,所述栅层中包括TFT的底栅和电容下电极,所述电容下电极位于所述光电二极管区域的下方;所述栅层上方的介质层,所述介质层覆盖在所述TFT和光电二极管区域;位于光电二极管区域介质层上方的电容上电极,所述电容上电极与所述介质层和所述电容下电极形成电容;所述电容的上电极上方的光电二极管,所述光电二极管的下电极为所述电容的上电极。
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