[发明专利]组件内隔离结构的制造方法有效
| 申请号： | 201110154242.2 | 申请日： | 2011-06-02 |
| 公开（公告）号： | CN102760681A | 公开（公告）日： | 2012-10-31 |
| 发明（设计）人： | 何家铭;陈逸男;刘献文 | 申请（专利权）人： | 南亚科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 | 代理人： | 余朦;王艳春 |
| 地址： | 中国台湾桃园县龟山*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种组件内隔离结构的制造方法，包括：提供半导体基板，其上形成有罩幕层；在该罩幕层与该半导体基板内形成多个第一沟槽；在该多个第一沟槽内形成第一绝缘层；移除该罩幕层的部份，以部份地露出位于该多个第一沟槽内的该第一绝缘层；在有该罩幕层所部份露出的该第一绝缘层的一侧面上形成保护间隔物，并部份露出介于该第一绝缘层之间的该罩幕层；施行蚀刻制程，在该保护间隔物所露出的该罩幕层的该部份以及其下方的该半导体基板内在该半导体基板与该罩幕层内形成多个第二沟槽；在该多个第二沟槽内形成第二绝缘层；以及移除高于该半导体基板的顶面的该保护间隔物、该罩幕层、该第一绝缘层与该第二绝缘层。 | ||
| 搜索关键词： | 组件 隔离 结构 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种组件内隔离结构的制造方法，包括：提供半导体基板，所述半导体基板上形成有罩幕层；在所述罩幕层与所述半导体基板内形成多个第一沟槽；在所述多个第一沟槽内形成第一绝缘层；移除所述罩幕层的部份，以部份地露出位于所述多个第一沟槽内的所述第一绝缘层；在由所述罩幕层部份露出的所述第一绝缘层的一侧面上形成保护间隔物，并部份地露出介于所述第一绝缘层之间的所述罩幕层；施行蚀刻制程，以在由所述保护间隔物所露出的所述罩幕层以及其下方的所述半导体基板内形成多个第二沟槽；在所述多个第二沟槽内形成第二绝缘层；以及移除高于所述半导体基板的顶面的所述保护间隔物、所述罩幕层、所述第一绝缘层与所述第二绝缘层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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