[发明专利]平板显示设备及其制造方法有效
| 申请号： | 201110156802.8 | 申请日： | 2011-06-03 |
| 公开（公告）号： | CN102270605A | 公开（公告）日： | 2011-12-07 |
| 发明（设计）人： | 郑震九;金德会;太胜奎;元裕奉;郑盛祐 | 申请（专利权）人： | 三星移动显示器株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/77 | 分类号： | H01L21/77;H01L27/02 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 罗正云;宋志强 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供一种平板显示设备及其制造方法。所述制造平板显示设备的方法包括：在基板上形成薄膜晶体管(TFT)的半导体层；在所述半导体层上形成栅电极，其中所述栅电极与所述半导体层之间有栅绝缘层，并且利用离子杂质对所述半导体层的源区和漏区进行掺杂；依次形成第一导电层、第一绝缘层和第二导电层，并且通过图案化所述第一导电层、所述第一绝缘层和所述第二导电层在离开所述TFT一定距离处形成电容器；形成第二绝缘层，并且形成穿过所述第二绝缘层的接触孔，所述接触孔暴露所述源区和所述漏区以及所述第二导电层的一部分；并且形成通过所述接触孔分别接触所述源区和所述漏区以及所述第二导电层的源电极和漏电极。 | ||
| 搜索关键词： | 平板 显示 设备 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种制造平板显示设备的方法，所述方法包括：在基板上形成薄膜晶体管的半导体层；在所述半导体层上形成栅电极，其中所述栅电极与所述半导体层之间有栅绝缘层，并且利用离子杂质对所述半导体层的源区和漏区进行掺杂；依次形成第一导电层、第一绝缘层和第二导电层，并且通过图案化所述第一导电层、所述第一绝缘层和所述第二导电层在离开所述薄膜晶体管一定距离处形成电容器；形成第二绝缘层，并且形成穿过所述第二绝缘层的接触孔，所述接触孔暴露所述源区和所述漏区以及所述第二导电层的一部分；并且形成源电极和漏电极，所述源电极接触所述源区，并且所述漏电极接触所述漏区，所述源电极和所述漏电极之一通过所述接触孔接触所述第二导电层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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