[发明专利]半导体装置

摘要

本发明涉及一种包含ESD保护元件的半导体装置，其包括：半导体基板，其上形成有包括电源线和接地线的电子电路；以及静电放电保护元件，其设置在半导体基板上的电源线与接地线之间，静电放电保护元件包括晶闸管和驱动晶闸管的触发二极管，其中触发二极管包括在半导体基板上形成的阳极扩散层、在半导体基板上形成为与阳极扩散层分开的阴极扩散层以及在半导体基板上的阳极扩散层与阴极扩散层之间形成的栅极电极，且在半导体基板与触发二极管之间插入有栅极绝缘膜，连接到外部电源的外部端子电连接至栅极电极。本发明能够在不增大ESD保护元件的占用面积的情况下抑制ESD保护元件所产生的漏电流。

主权项

一种半导体装置，其包括：半导体基板，其上形成有电子电路，所述电子电路包括电源线和接地线；以及静电放电保护元件，其设置在所述半导体基板上的所述电源线与所述接地线之间，所述静电放电保护元件包括晶闸管和驱动所述晶闸管的触发二极管，其中，所述触发二极管包括阳极扩散层、阴极扩散层和栅极电极，所述阳极扩散层形成在所述半导体基板上，所述阴极扩散层在所述半导体基板上形成为与所述阳极扩散层分开，所述栅极电极形成在所述半导体基板上的所述阳极扩散层与所述阴极扩散层之间，在所述半导体基板与所述栅极电极之间插入有栅极绝缘膜，及与外部电源连接的外部端子电连接到所述栅极电极。