[发明专利]一种耐冰晶石腐蚀的绝缘材料及其制备方法和应用有效

专利信息
申请号: 201110162307.8 申请日: 2011-06-16
公开(公告)号: CN102368397A 公开(公告)日: 2012-03-07
发明(设计)人: 贾德昌;安力;杨治华 申请(专利权)人: 哈尔滨工业大学
主分类号: H01B3/12 分类号: H01B3/12;H01B19/00;C04B35/582;C04B35/565;C04B35/63;C04B35/645;C25B9/00;C25B1/00
代理公司: 哈尔滨市松花江专利商标事务所 23109 代理人: 韩末洙
地址: 150001 黑龙*** 国省代码: 黑龙江;23
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摘要: 一种耐冰晶石腐蚀的绝缘材料及其制备方法和应用,涉及一种耐腐蚀的绝缘材料及其制备方法和应用。解决现有绝缘壁材料耐冰晶石腐蚀能力较差,使用寿命短,需频繁更换的问题,本发明材料由α-SiC微粉、AlN微粉、纳米Al2O3粉和Y2O3粉末四种原料通过热压烧结制得的,首先将四种原料湿混后干燥得混合粉末,再将混合粉末热压烧结即可。本发明绝缘材料作为电解法生产硅工艺用电解池的绝缘壁材料的应用。本发明绝缘材料具有良好的力学性能,抗弯强度达到449.6~604.6MPa,维氏硬度达到15.82~21.00GPa。在电解硅生产的电解池的熔融冰晶石中腐蚀20小时,未出现明显破坏及失效,具有优异的抗冰晶石腐蚀性能。
搜索关键词: 一种 冰晶石 腐蚀 绝缘材料 及其 制备 方法 应用
【主权项】:
一种耐冰晶石腐蚀的绝缘材料,其特征在于耐冰晶石腐蚀的绝缘材料是由α SiC微粉、AlN微粉、纳米Al2O3粉和Y2O3粉末四种原料通过热压烧结制得的,其中α SiC微粉与AlN微粉的质量比为0.25~4∶1,纳米Al2O3粉和Y2O3粉末的质量比为63∶27,纳米Al2O3粉和Y2O3粉末两者的质量占四种原料总质量的5%。
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