[发明专利]晶体管结构及其制备方法无效
| 申请号： | 201110164962.7 | 申请日： | 2011-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN102683407A | 公开（公告）日： | 2012-09-19 |
| 发明（设计）人： | 黄庆玲;吴铁将 | 申请（专利权）人： | 南亚科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 冯志云;郭晓东 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明的晶体管结构包含一半导体基板；一导电区块，设置于该半导体基板之中；一栅极介电层，设置于该导电区块及该半导体基板之间；一鼓形介电结构，设置于该导电区块及该栅极介电层之上。本发明同时涉及一种晶体管结构的制备方法。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种晶体管结构(60)，包含：一半导体基板(61)；一导电区块(73)，设置于该半导体基板(61)之中；一栅极介电层(69B)，设置于该导电区块(73)及该半导体基板(61)之间；一鼓形介电结构(90)，设置于该导电区块(73)及该栅极介电层(69B)之上。
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