[发明专利]一种提高塞曼双频激光器频差的装置有效
申请号: | 201110164989.6 | 申请日: | 2011-06-17 |
公开(公告)号: | CN102832533A | 公开(公告)日: | 2012-12-19 |
发明(设计)人: | 吴萍;张志平;张晓文;池峰;陈勇辉 | 申请(专利权)人: | 上海微电子装备有限公司 |
主分类号: | H01S3/08 | 分类号: | H01S3/08 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 屈蘅;李时云 |
地址: | 201203 上*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提出一种提高塞曼双频激光器频差的装置,包括:激光管;加热丝,紧密缠绕于所述激光管的管壁上;磁环,设置于所述激光管的外围;隔震橡胶,灌注于所述加热丝和所述磁环之间。本发明公布了一种提高塞曼双频激光器频差的装置,它可以在保持所用单频激光器性能不变的情况下,大大提高由塞曼效应产生的双频激光束的频差。本发明选用带磁轭的中空磁环,为激光器提供均匀分布的磁场,提高由塞曼效应产生的频率分裂程度,从而提高双频激光器的频差性能。 | ||
搜索关键词: | 一种 提高 双频 激光器 装置 | ||
【主权项】:
一种提高塞曼双频激光器频差的装置,其特征在于,包括:激光管;加热丝,紧密缠绕于所述激光管的管壁上;磁环,设置于所述激光管的外围;隔震橡胶,灌注于所述加热丝和所述磁环之间。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海微电子装备有限公司,未经上海微电子装备有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201110164989.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种铟萃余液中脱除氯的方法
- 下一篇:一种隧道窑废气的脱硫除杂装置及工艺