[发明专利]一种紫外光探测器有效
申请号: | 201110165546.9 | 申请日: | 2011-06-20 |
公开(公告)号: | CN102231403A | 公开(公告)日: | 2011-11-02 |
发明(设计)人: | 赵昆;赵赛赛;赵嵩卿;达世炼 | 申请(专利权)人: | 中国石油大学(北京) |
主分类号: | H01L31/09 | 分类号: | H01L31/09;H01L31/0224;H01L31/032 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 李鹤松 |
地址: | 102249*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种紫外光探测器,包括:斜切基底;在斜切基底一面上生长LaxCa1-xMnO3薄膜;第一金属薄膜电极和第二金属薄膜电极,分别生长在LaxCa1-xMnO3薄膜的两端;第三金属薄膜电极,位于第一金属薄膜电极和第二金属薄膜电极之间,且生长在LaxCa1-xMnO3薄膜上;第一电极引线、第二电极引线和第三电极引线的各自输入端,分别连接于第一金属薄膜电极、第二金属薄膜电极和第三金属薄膜电极上;第一电极引线、第二电极引线和第三电极引线的各自输出端,分别连接于电压测试设备,其中,第一电极引线、第二电极引线的各自输出端连接于所述电压测试设备的负极,第三电极引线的各自输出端连接于电压测试设备的正极。 | ||
搜索关键词: | 一种 紫外光 探测器 | ||
【主权项】:
一种紫外光探测器,其特征在于,所述的紫外光探测器包括:斜切基底;在所述斜切基底的一面上生长LaxCa1‑xMnO3薄膜;第一金属薄膜电极和第二金属薄膜电极,分别生长在所述LaxCa1‑xMnO3薄膜的两端;第三金属薄膜电极,位于所述第一金属薄膜电极和所述第二金属薄膜电极之间,且生长在所述LaxCa1‑xMnO3薄膜上;第一电极引线、第二电极引线和第三电极引线的各自输入端,分别连接于所述第一金属薄膜电极、所述第二金属薄膜电极和所述第三金属薄膜电极上;所述第一电极引线、所述第二电极引线和所述第三电极引线的各自输出端,分别连接于电压测试设备,其中,所述第一电极引线、所述第二电极引线的各自输出端连接于所述电压测试设备的负极,所述第三电极引线的输出端连接于所述电压测试设备的正极。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国石油大学(北京),未经中国石油大学(北京)许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201110165546.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种巨磁阻抗薄膜材料及制备方法
- 下一篇:一种纳米TiO2浆料的制备方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的