[发明专利]一种半导体结构及其制造方法无效

申请号：	201110166510.2	申请日：	2011-06-20
公开（公告）号：	CN102842493A	公开（公告）日：	2012-12-26
发明（设计）人：	尹海洲;朱慧珑;骆志炯	申请（专利权）人：	中国科学院微电子研究所;北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
主分类号：	H01L21/283	分类号：	H01L21/283;H01L21/762;H01L29/423;H01L29/06
代理公司：	北京汉昊知识产权代理事务所(普通合伙) 11370	代理人：	朱海波
地址：	100029 ***	国省代码：	北京;11
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摘要：	本发明提供了一种半导体结构的制造方法，该方法包括：提供SOI衬底，并在所述SOI衬底上形成栅极结构；刻蚀所述栅极结构两侧的所述SOI衬底的SOI层和BOX层，以形成暴露所述BOX层的沟槽，该沟槽部分进入所述BOX层；形成填充部分所述沟槽的应力层；在所述沟槽中形成覆盖所述应力层的半导体层。相应地，本发明还提供了一种根据上述方法形成的半导体结构。本发明提供的半导体结构及其制造方法在Ultrathin SOI衬底上形成沟槽，首先在沟槽中填充应力层，然后在该沟槽内填充半导体材料形成半导体层，以便后续在其中形成源/漏区，所述应力层为半导体器件的沟道提供了有利应力，有助于提升半导体器件的性能。
搜索关键词：	一种半导体结构及其制造方法
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【主权项】：

一种半导体结构的制造方法，其特征在于，该方法包括：a)提供SOI衬底，并在所述SOI衬底上形成栅极结构(200)；b)刻蚀所述栅极结构(200)两侧的所述SOI衬底的SOI层(100)和BOX层(110)，以形成暴露所述BOX层(110)的沟槽(140)，该沟槽(140)部分进入所述BOX层(110)；c)形成填充部分所述沟槽(140)的应力层(160)；d)在所述沟槽(140)中形成覆盖所述应力层(160)的半导体层(150)。

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H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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