[发明专利]半导体发光结构有效
| 申请号： | 201110169117.9 | 申请日： | 2011-06-22 |
| 公开（公告）号： | CN102790156A | 公开（公告）日： | 2012-11-21 |
| 发明（设计）人： | 李君圣;吴国祯;温伟值 | 申请（专利权）人： | 广镓光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/36 | 分类号： | H01L33/36;H01L33/38;H01L33/42;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 臧建明 |
| 地址： | 中国台湾台中市大雅*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种半导体发光结构，包括第一掺杂态半导体层、发光层、第二掺杂态半导体层、第一电传导层及多个第一导体。发光层配置于第一掺杂态半导体层上，且第二掺杂态半导体层配置于发光层上。第一电传导层配置于第一掺杂态半导体层上，其中第一电传导层与第一掺杂态半导体层之间形成第一接面。这些第一导体彼此互相分离地配置于第一掺杂态半导体层上。第一电传导层连接这些第一导体，每一第一导体与第一掺杂态半导体层之间形成第二接面，且第二接面的电阻值小于第一接面的电阻值。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 结构 | ||
【主权项】：
一种半导体发光结构，其特征在于其包括：基板；第一掺杂态半导体层，配置于所述基板上；发光层，配置于所述第一掺杂态半导体层上；第二掺杂态半导体层，配置于所述发光层上；第一电传导层，配置于所述第一掺杂态半导体层上，其中所述第一电传导层与所述第一掺杂态半导体层之间形成第一接面；以及多个第一导体，配置于所述第一掺杂态半导体层上，其中所述第一导体与所述第一掺杂态半导体层之间形成第二接面，且所述第二接面的电阻值小于所述第一接面的电阻值。
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