[发明专利]LED覆晶结构及其制造方法无效
申请号: | 201110169450.X | 申请日: | 2011-06-22 |
公开(公告)号: | CN102842666A | 公开(公告)日: | 2012-12-26 |
发明(设计)人: | 沈佳辉;洪梓健 | 申请(专利权)人: | 展晶科技(深圳)有限公司;荣创能源科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L33/48 | 分类号: | H01L33/48;H01L33/56;H01L33/00 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 518109 广东省深圳市宝*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 一种LED覆晶结构,包括基板、形成于基板上的电路层及位于电路层上的LED芯片。所述电路层包括相互绝缘的第一电极与第二电极。所述LED芯片包括分别与电路层的第一电极与第二电极对应连接的正电极和负电极。所述正电极和负电极分别通过焊料覆晶连接所述第一电极和第二电极。所述LED覆晶结构还包括位于所述正电极与负电极之间的阻挡结构,所述阻挡结构为胶状绝缘材料制成。本发明还涉及一种该LED覆晶结构的制造方法。 | ||
搜索关键词: | led 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种LED覆晶结构,包括基板、形成于基板上的电路层及位于电路层上的LED芯片,所述电路层包括相互绝缘的第一电极与第二电极,所述LED芯片包括正电极和负电极,所述正电极和负电极分别通过焊料覆晶连接所述第一电极和第二电极,其特征在于,还包括位于所述正电极与负电极之间的阻挡结构,所述阻挡结构由胶状绝缘材料制成。
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