[发明专利]一种单晶炉副室提升操作的自动保护方法有效

专利信息
申请号: 201110170912.X 申请日: 2011-06-23
公开(公告)号: CN102242396A 公开(公告)日: 2011-11-16
发明(设计)人: 唐海亮;陈海云;刘立军 申请(专利权)人: 西安隆基硅材料股份有限公司;宁夏隆基硅材料有限公司;银川隆基硅材料有限公司;无锡隆基硅材料有限公司
主分类号: C30B15/20 分类号: C30B15/20;C30B15/30
代理公司: 西安弘理专利事务所 61214 代理人: 罗笛
地址: 710100 陕西*** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 发明公开了一种单晶炉副室提升操作的自动保护方法,在副室提升开关的行程开关上串联一个电接点压力表,该电接点压力表的测量值为单晶炉副室的压力值;电接点压力表上设置一个低于大气压值的阈值,使得在实测炉压小于这个阈值时,控制副室提升的线路一直处于断开状态,大于或等于这个阈值时,提升副室的操作才能被执行。本发明的方法,在副室提升开关线路上串联一个电接点压力表,使在副室炉压未达到大气压的状态下,无法提升副室,从而杜绝了由于误提起副室而引发的生产事故,提高了生产设备的自动化程度和智能化程度,保证了一线员工的人身安全和设备安全。
搜索关键词: 一种 单晶炉副室 提升 操作 自动 保护 方法
【主权项】:
一种单晶炉副室提升操作的自动保护方法,其特征在于:在副室提升开关的行程开关上串联一个电接点压力表,该电接点压力表的测量值为单晶炉副室的压力值;电接点压力表上设置一个低于大气压值的阈值,使得在实测炉压小于这个阈值时,控制副室提升的线路一直处于断开状态,大于或等于这个阈值时,提升副室的操作被执行。
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