[发明专利]一种锗基NMOS器件及其制备方法有效
| 申请号： | 201110171004.2 | 申请日： | 2011-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN102222687A | 公开（公告）日： | 2011-10-19 |
| 发明（设计）人： | 黄如;李志强;安霞;郭岳;张兴 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01L29/47 | 分类号： | H01L29/47;H01L29/78;H01L29/06;H01L21/28;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京万象新悦知识产权代理事务所(普通合伙) 11360 | 代理人： | 苏爱华 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种锗基NMOS器件及其制备方法，属于超大规模集成电路(ULSI)工艺制造技术领域。该锗基NMOS器件的金属源、漏和衬底之间插入两层绝缘介质材料，底层介质采用氧化铪、氮化硅或铪硅氧等高钉扎系数S介质材料；而上层介质采用二氧化钛、氧化镓或锶钛氧等低导带偏移量ΔEC介质材料。本发明可以减弱费米能级钉扎效应，降低电子势垒，进而改善锗基肖特基NMOS器件的性能。与现有的采用单层绝缘介质材料如氧化铝(Al2O3)等相比，本发明能够有效降低肖特基势垒并能保持较低的源漏电阻，在很大程度上改善了器件性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 nmos 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种锗基NMOS器件，其特征在于，在金属源、漏和衬底之间插入两层绝缘介质材料，具体是，在衬底上淀积底层绝缘介质材料，该绝缘介质材料的高钉扎系数S＞0.55，在底层绝缘介质材料上淀积一层上层绝缘介质材料，该上层绝缘介质材料的低导带偏移量ΔEC＜1.0eV，在上层绝缘介质材料上淀积金属源、漏。
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