[发明专利]氧化硅玻璃坩埚以及硅锭的制造方法有效
申请号: | 201110173533.6 | 申请日: | 2011-06-24 |
公开(公告)号: | CN102296359A | 公开(公告)日: | 2011-12-28 |
发明(设计)人: | 须藤俊明;岸弘史 | 申请(专利权)人: | 日本超精石英株式会社 |
主分类号: | C30B15/10 | 分类号: | C30B15/10;C30B29/06 |
代理公司: | 上海翼胜专利商标事务所(普通合伙) 31218 | 代理人: | 翟羽 |
地址: | 日本秋田县秋*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种进行多次拉晶时也能抑制硅锭结晶性的恶化的氧化硅玻璃坩埚。本发明的氧化硅玻璃坩埚用于单晶硅拉晶,该坩埚的壁具有自该坩埚的内表面形成至外表面的合成氧化硅玻璃层、天然氧化硅玻璃层、含杂质氧化硅玻璃层以及天然氧化硅玻璃层。 | ||
搜索关键词: | 氧化 玻璃 坩埚 以及 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种氧化硅玻璃坩埚,用于单晶硅拉晶,其特征在于:所述坩埚的壁具有自该坩埚的内表面形成至外表面的合成氧化硅玻璃层、天然氧化硅玻璃层、含杂质氧化硅玻璃层以及天然氧化硅玻璃层。
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