[发明专利]平坦化绝缘层的方法及制作具有平坦化绝缘层的数组基板的方法无效
| 申请号： | 201110174161.9 | 申请日： | 2011-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN102280381A | 公开（公告）日： | 2011-12-14 |
| 发明（设计）人： | 何宣仪;林俊安 | 申请（专利权）人： | 福州华映视讯有限公司;中华映管股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3105 | 分类号： | H01L21/3105;H01L21/77 |
| 代理公司： | 福州元创专利商标代理有限公司 35100 | 代理人： | 蔡学俊 |
| 地址： | 350015 福建*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开一种平坦化绝缘层的方法及制作具有平坦化绝缘层的数组基板的方法，包含提供一具一第一表面以及一第二表面的基板；于基板的第一表面上形成至少一图案化金属层，以及于图案化金属层上形成至少一绝缘层；涂布一负光阻覆盖于绝缘层之上；于基板的第二表面进行一曝光制程，使未被图案化金属层遮挡的负光阻受到曝光，以及使被图案化金属层遮挡的负光阻不会受到曝光；进行一显影制程以去除未受到曝光的负光阻；去除未被负光阻覆盖的部分绝缘层；以及去除受到曝光的负光阻，使绝缘层形成一平坦表面。 | ||
| 搜索关键词： | 平坦 绝缘 方法 制作 具有 数组 | ||
【主权项】：
一种平坦化绝缘层的方法，其特征在于，包括：提供一基板，包含一第一表面以及一第二表面；于该基板的该第一表面上形成至少一图案化金属层以及至少一绝缘层覆盖于该图案化金属层之上，其中该绝缘层具有一不平坦表面；涂布一负光阻覆盖于该绝缘层之上；于该基板的该第二表面进行一曝光制程，使未被该图案化金属层遮挡的该负光阻受到曝光，以及使被该图案化金属层遮挡的该负光阻不会受到曝光；进行一显影制程以去除未受到曝光的该负光阻；去除未被该负光阻覆盖的部分该绝缘层，使该绝缘层形成一平坦表面；以及去除受到曝光的该负光阻。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
