[发明专利]薄膜晶体管矩阵基板及显示面板的制造方法

摘要

本发明提供一种薄膜晶体管矩阵基板及显示面板的制造方法。此制造方法包括如下步骤：依序形成栅极、栅极绝缘层、半导体层、欧姆接触层、电极层及光阻层于所述透明基材上；利用多段式调整光掩膜来图案化光阻层；形成源电极及漏电极于沟道的相对两侧；加热光阻层；蚀刻所述半导体层；移除所述光阻层；形成保护层于所述沟道、所述源电极及所述漏电极上；以及形成像素电极层于所述保护层上，本发明可减少制程的光掩膜数，且仅需对金属进行一次湿蚀刻。

主权项

一种薄膜晶体管矩阵基板的制造方法，其特征在于：所述制造方法包括如下步骤：形成栅极于透明基材上；依序形成栅极绝缘层、半导体层、欧姆接触层、电极层及光阻层于所述透明基材及所述栅极上；利用一多段式调整光掩膜来图案化所述光阻层，使得所述光阻层具有不同厚度及一沟道，所述沟道是形成于所述栅极的上方；蚀刻所述半导体层、所述欧姆接触层及所述电极层，以移除部分的所述半导体层、部分的所述欧姆接触层及部分的所述电极层，并形成源电极及漏电极于所述沟道的相对两侧；加热所述光阻层，使得部分所述光阻层回流至所述沟道内，而遮蔽住所述沟道；蚀刻所述半导体层，以移除部分所述半导体层；移除所述光阻层；形成保护层于所述沟道、所述源电极及所述漏电极上；以及形成像素电极层于所述保护层上，其中所述像素电极层是电性连接于所述漏电极。