[发明专利]半导体结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201110176871.5 | 申请日： | 2011-06-22 |
| 公开（公告）号： | CN102842596A | 公开（公告）日： | 2012-12-26 |
| 发明（设计）人： | 陈永初;洪崇祐;朱建文 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/872;H01L21/329 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体结构及其制造方法。半导体结构包括阱区、介电结构、第一掺杂层、第二掺杂层与第一掺杂区。介电结构位于阱区上。介电结构具有相对的第一介电侧边与第二介电侧边。介电结构包括第一介电部分与第二介电部分，位于第一介电侧边与第二介电侧边之间。第一掺杂层位于第一介电部分与第二介电部分之间的阱区上。第二掺杂层位于第一掺杂层上。第一掺杂区位于第一介电侧边上的阱区中。阱区、第一掺杂层与第一掺杂区具有第一导电型。第二掺杂层具有相反于第一导电型的第二导电型。半导体结构可包括耐高压肖特基二极管。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体结构，包括：一阱区；一介电结构，位于该阱区上，且具有相对的一第一介电侧边与一第二介电侧边，其中该介电结构包括一第一介电部分与一第二介电部分，位于该第一介电侧边与该第二介电侧边之间；一第一掺杂层，位于该第一介电部分与该第二介电部分之间的该阱区上；一第二掺杂层，位于该第一掺杂层上；以及一第一掺杂区，位于该第一介电侧边上的该阱区中，其中该阱区、该第一掺杂层与该第一掺杂区具有一第一导电型，该第二掺杂层具有相反于该第一导电型的一第二导电型，一阴极被电性连接至该第一掺杂区，一阳极被电性连接至该第二介电侧边上的该阱区。
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