[发明专利]基板处理方法和基板处理装置有效
| 申请号： | 201110178238.X | 申请日： | 2015-09-01 |
| 公开（公告）号： | CN105390372A | 公开（公告）日： | 2011-12-21 |
| 发明（设计）人： | 三浦繁博;加藤寿;佐藤润;菊地宏之 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;张会华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种基板处理方法和基板处理装置。其中，将基板载置在设于处理室内的旋转台上，沿着所述旋转台的旋转方向该处理室划分为被供给蚀刻气体的处理区域和不被供给所述蚀刻气体而被供给吹扫气体的吹扫区域。向所述处理区域供给蚀刻气体，向所述吹扫区域供给吹扫气体。使旋转台旋转，在使所述旋转台旋转1圈时使所述基板通过所述处理区域和所述吹扫区域各1次。在所述基板通过所述处理区域时对形成于所述基板的表面的膜进行蚀刻。通过使所述旋转台的旋转速度变化来控制对所述膜进行蚀刻的蚀刻速率或蚀刻后的所述膜的表面粗糙度。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 方法 装置 | ||
【主权项】：
一种基板处理方法，其中，将基板载置在设于处理室内的旋转台上，沿着所述旋转台的旋转方向该处理室被划分为被供给蚀刻气体的处理区域和不被供给所述蚀刻气体而被供给吹扫气体的吹扫区域，向所述处理区域供给蚀刻气体，向所述吹扫区域供给吹扫气体，使旋转台旋转，在使所述旋转台旋转1圈时使所述基板通过所述处理区域和所述吹扫区域各1次，在所述基板通过所述处理区域时对形成于所述基板的表面的膜进行蚀刻，通过使所述旋转台的旋转速度变化来控制对所述膜进行蚀刻的蚀刻速率或蚀刻后的所述膜的表面粗糙度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
