[发明专利]多栅器件的形成方法有效
| 申请号： | 201110182423.6 | 申请日： | 2011-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN102856181A | 公开（公告）日： | 2013-01-02 |
| 发明（设计）人： | 殷华湘;徐秋霞;陈大鹏 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种多栅器件的形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有凸出的鳍部；依次形成介质层和牺牲层，所述介质层覆盖所述半导体衬底和鳍部，所述牺牲层覆盖所述介质层；对所述牺牲层进行第一反应离子刻蚀，至暴露出所述介质层；对剩余的牺牲层和所述介质层进行第二反应离子刻蚀，完全去除所述牺牲层并去除所述介质层的一部分，所述第二反应离子刻蚀对所述牺牲层的刻蚀速率小于对所述介质层的刻蚀速率；对剩余的介质层进行第三反应离子刻蚀，暴露出所述鳍部的顶部和部分侧壁。本发明有利于提高介质层的全局平坦度和局部平坦度，改善器件的一致性。 | ||
| 搜索关键词： | 器件 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种多栅器件的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有凸出的鳍部；依次形成介质层和牺牲层，所述介质层覆盖所述半导体衬底和鳍部，所述牺牲层覆盖所述介质层；对所述牺牲层进行第一反应离子刻蚀，至暴露出所述介质层；对剩余的牺牲层和所述介质层进行第二反应离子刻蚀，完全去除所述牺牲层并去除所述介质层的一部分，所述第二反应离子刻蚀对所述牺牲层的刻蚀速率小于对所述介质层的刻蚀速率；对剩余的介质层进行第三反应离子刻蚀，暴露出所述鳍部的顶部和部分侧壁。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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