[发明专利]一种晶体硅太阳能电池片及其扩散方法有效
| 申请号： | 201110182474.9 | 申请日： | 2011-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN102254991A | 公开（公告）日： | 2011-11-23 |
| 发明（设计）人： | 汪琴霞 | 申请（专利权）人： | 浚鑫科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/0352;H01L31/068 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 逯长明 |
| 地址： | 214443 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种晶体硅太阳能电池片及其扩散方法，该方法包括：将硅片放入扩散炉中，升温至780℃～800℃；经扩散炉管向扩散炉通入预设含量的小氮、氧气和大氮，扩散炉内温度保持在780℃～800℃，时间为15min～20min；经扩散炉管向扩散炉通入预设含量的氧气和大氮，扩散炉内温度升至850℃～870℃，时间为10min～18min；扩散过程结束，在扩散炉降温后取出硅片；在整个扩散过程中，所述扩散炉管内的气体流量恒定。采用本发明的方法生产出的太阳能电池片的PN结结深较浅，方块电阻更为均匀，提高了太阳能电池的转换效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 晶体 太阳能电池 及其 扩散 方法 | ||
【主权项】：
一种扩散方法，其特征在于，包括：A、将硅片放入扩散炉中，升温至780℃～800℃；B、经扩散炉管向扩散炉通入预设含量的小氮、氧气和大氮，扩散炉内温度保持在780℃～800℃，时间为15min～20min；C、经扩散炉管向扩散炉通入预设含量的氧气和大氮，扩散炉内温度升至850℃～870℃，时间为10min～18min；D、扩散过程结束，在扩散炉降温后取出硅片；在整个扩散过程中，所述扩散炉管内的气体流量恒定。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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