[发明专利]一种半导体结构及其制造方法有效

申请号：	201110182573.7	申请日：	2011-06-30
公开（公告）号：	CN102856206A	公开（公告）日：	2013-01-02
发明（设计）人：	朱慧珑;尹海洲;骆志炯	申请（专利权）人：	中国科学院微电子研究所;北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
主分类号：	H01L21/336	分类号：	H01L21/336;H01L21/768;H01L29/78;H01L29/08
代理公司：	北京汉昊知识产权代理事务所(普通合伙) 11370	代理人：	朱海波
地址：	100029 ***	国省代码：	北京;11
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摘要：	本发明提供一种半导体结构及其制造方法，该方法包括以下步骤：提供衬底，在所述衬底上形成栅极堆叠；在所述衬底上形成源/漏区和源/漏外延区，所述源/漏外延区与源/漏区相连，且其长度大于所述源/漏区的长度，所述长度为平行于沟道长度的方向上的距离；形成覆盖所述栅极堆叠、所述源/漏区和所述源/漏外延区的层间介质层；在所述源/漏外延区上形成接触塞。相应地，本发明还提供一种半导体结构。本发明通过增加源/漏外延区，并将接触塞置于源/漏外延区之上，有效减小了源/漏区面积，进而减小了整个半导体器件的面积。
搜索关键词：	一种半导体结构及其制造方法
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【主权项】：

一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：(a)提供衬底(100)，在所述衬底(100)之上形成栅极堆叠；(b)在所述衬底(100)上形成源/漏区(110)和源/漏外延区(120)，所述源/漏外延区(120)与所述源/漏区(110)相连，且其长度大于所述源/漏区(110)的长度；(c)形成覆盖所述栅极堆叠、所述源/漏区(110)和所述源/漏外延区(120)的层间介质层(300)；(d)在所述源/漏外延区(120)上形成接触塞(320)。

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H01 基本电气元件
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