[发明专利]铸锭多晶硅硅片头尾排序的标识方法无效
申请号: | 201110183085.8 | 申请日: | 2011-06-30 |
公开(公告)号: | CN102364699A | 公开(公告)日: | 2012-02-29 |
发明(设计)人: | 张驰;刘振淮;熊震;付少永 | 申请(专利权)人: | 常州天合光能有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L21/00 |
代理公司: | 常州市维益专利事务所 32211 | 代理人: | 路接洲 |
地址: | 213031 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明涉及一种铸锭多晶硅硅片头尾排序的标识方法,包括以下步骤:1)检测:将开方后的铸锭多晶硅晶棒进行红外和少子寿命检测;2)截断:综合红外和少子寿命检测结果确定截断位置,进行截断加工;3)标识:利用激光在截断后晶棒的表面上进行画线标识;4)磨面:将标识后的晶棒进行磨面抛光;5)倒角:将磨面后的晶棒进行倒角;6)粘棒:将倒角后的晶棒通过固化胶粘贴在晶托上;7)切片:将上述晶棒固化一段时间后送入机台进行切片。将铸锭多晶硅晶棒经过本发明标识后进行切片,最终根据线痕在硅片边缘的位置对硅片进行头尾排序,结果可清晰辨别硅片在晶棒中所处的位置,且碎片率没有增加。 | ||
搜索关键词: | 铸锭 多晶 硅片 头尾 排序 标识 方法 | ||
【主权项】:
一种铸锭多晶硅硅片头尾排序的标识方法,其特征在于包括以下步骤:1)检测:将开方后的铸锭多晶硅晶棒进行红外和少子寿命检测;2)截断:综合红外和少子寿命检测结果确定截断位置,进行截断加工;3)标识:利用激光在截断后晶棒的表面上进行画线标识;4)磨面:将标识后的晶棒进行磨面抛光;5)倒角:将磨面后的晶棒进行倒角;6)粘棒:将倒角后的晶棒通过固化胶粘贴在晶托上;7)切片:将上述晶棒固化一段时间后送入机台进行切片。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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