[发明专利]BCD工艺中双栅极氧化层的形成方法无效
| 申请号： | 201110184979.9 | 申请日： | 2011-07-04 |
| 公开（公告）号： | CN102254806A | 公开（公告）日： | 2011-11-23 |
| 发明（设计）人： | 刘建华;吴晓丽 | 申请（专利权）人： | 上海先进半导体制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/283 | 分类号： | H01L21/283 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 陆嘉 |
| 地址： | 200233 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种BCD工艺中双栅极氧化层的形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括并列的高压器件区域和低压器件区域；在所述低压器件区域的半导体衬底上形成阻挡层；形成高压器件的栅氧化层，所述高压器件的栅氧化层覆盖所述高压器件区域的半导体衬底的表面；去除所述阻挡层，暴露出所述低压器件区域的表面；形成低压器件的栅氧化层，覆盖所述高压器件的栅氧化层和低压器件区域的半导体衬底的表面，所述低压器件的栅氧化层的厚度小于高压器件的栅氧化层的厚度。本发明能够避免在双栅氧化层形成工艺中对场隔离结构的刻蚀而导致的场隔离漏电问题，有利于改善整个器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | bcd 工艺 栅极 氧化 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种BCD工艺中双栅极氧化层的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括并列的高压器件区域和低压器件区域；在所述低压器件区域的半导体衬底上形成阻挡层；形成高压器件的栅氧化层，所述高压器件的栅氧化层覆盖所述高压器件区域的半导体衬底的表面；去除所述阻挡层，暴露出所述低压器件区域的表面；形成低压器件的栅氧化层，覆盖所述高压器件的栅氧化层和低压器件区域的半导体衬底的表面，所述低压器件的栅氧化层的厚度小于高压器件的栅氧化层的厚度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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