[发明专利]热处理装置和热处理方法无效
申请号: | 201110185002.9 | 申请日: | 2011-06-23 |
公开(公告)号: | CN102299047A | 公开(公告)日: | 2011-12-28 |
发明(设计)人: | 川口义广 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;H01L21/02;G03F7/40 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳 |
地址: | 日本国*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种热处理装置和热处理方法。其抑制基板面内的热处理温度的偏差,使基板面内的配线图案的线宽均匀。包括:基板输送机构(20);第一腔室(8A),覆盖基板输送路径(2)的规定区间,并形成对在上述基板输送路径输送的基板(G)进行热处理的热处理空间;第一处理机构(17、18),能够将上述第一腔室内加热;第二机构(41、42),对在上述基板输送路径输送的上述基板吹送气体,能够进行局部冷却;基板检测机构(45),设置在上述第一腔室的前段,对在上述基板输送路径输送的上述基板进行检测;和控制机构(40),被供给有上述基板检测机构的检测信号,并切换通过上述第二机构进行的冷却动作的开始/停止。 | ||
搜索关键词: | 热处理 装置 方法 | ||
【主权项】:
一种热处理装置,对水平输送的基板进行热处理,该热处理装置的特征在于,包括:基板输送机构,其形成基板输送路径,将所述基板沿所述基板输送路径水平输送;第一腔室,覆盖所述基板输送路径的规定区间,并形成对在所述基板输送路径输送的所述基板进行热处理的热处理空间;第一机构,能够将所述第一腔室内加热;第二机构,对在所述基板输送路径输送的所述基板吹送气体,能够进行局部冷却;基板检测机构,设置在所述第一腔室的前段,对在所述基板输送路径输送的所述基板进行检测;和控制机构,被供给所述基板检测机构的检测信号,并切换通过所述第二机构进行的冷却动作的开始/停止,其中所述控制机构,根据所述基板检测机构的检测信号取得基板的输送位置,针对沿基板输送方向划分的多个基板区域中的每一个基板区域,切换通过所述第二机构进行的冷却动作的开始/停止,所述基板,通过所述第二机构的冷却动作,被形成为其前部区域和后部区域的温度比中央部区域的温度低的状态,进而通过所述第一机构被进行加热处理。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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