[发明专利]半导体结构及其制作方法以及制作半导体布局的方法有效

专利信息
申请号: 201110186432.2 申请日: 2011-07-05
公开(公告)号: CN102867811A 公开(公告)日: 2013-01-09
发明(设计)人: 黄家纬;陈明瑞;黄俊宪 申请(专利权)人: 联华电子股份有限公司
主分类号: H01L23/528 分类号: H01L23/528;H01L21/768;H01L21/027;G03F7/00
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 彭久云
地址: 中国台湾新竹*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 发明公开一种半导体结构及其制作方法以及制作半导体布局的方法,该方法首先提供第一布局与第二布局,该第一布局包括有多个布线图案,而该第二布局包括有多个连接图案。接下来于该第一布局的这些布线图案中定义多个第一待切割图案,这些第一待切割图案分别与这些连接图案重叠。而在定义出这些第一待切割图案后,于该第一待切割图案与该连接图案的重叠处切分这些第一待切割图案,以分解该第一布局形成第三布局与第四布局。最后,分别输出该第三布局与该第四布局至第一光掩模与第二光掩模上。
搜索关键词: 半导体 结构 及其 制作方法 以及 制作 布局 方法
【主权项】:
一种半导体结构,包括:布线图案,该布线图案包括至少一第一线段与一第二线段,且至少部分该第一线段与部分该第二线段于邻接区域内彼此邻接;以及连接图案,设置于该邻接区域内,且电性连接该第一线段与该第二线段。
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