[发明专利]低功耗静态存储器SRAM有效
| 申请号： | 201110188458.0 | 申请日： | 2011-07-05 |
| 公开（公告）号： | CN102867541A | 公开（公告）日： | 2013-01-09 |
| 发明（设计）人： | 林殷茵;薛晓勇 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | G11C11/413 | 分类号： | G11C11/413;G11C29/42 |
| 代理公司： | 上海元一成知识产权代理事务所(普通合伙) 31268 | 代理人： | 吴桂琴 |
| 地址： | 20043*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明属于存储器技术领域，提出一种减少漏电流的静态存储器SRAM系统，包括读写电路、ECC检错纠错电路、电压调节器、偏压管和存储单元阵列，电压调节器控制偏压管降低或增加存储单元阵列的电源电压；读写电路，用于当电源电压恢复到active模式，读取存储单元阵列内容，并将内容发送到ECC检错纠错电路；ECC检错纠错电路，用于检错纠错，并将改正后的值通过读写电路写回存储单元阵列。本发明采用ECC检测处于standby模式下SRAM各个阵列的单元值，在保证hold不出错的情况下尽可能降低阵列的电源电压或者抬高阵列的地线电压，以尽可能降低漏电，实现极低功耗。 | ||
| 搜索关键词： | 功耗 静态 存储器 sram | ||
【主权项】：
一种减少漏电流的静态存储器SRAM系统，包括读写电路、ECC检错纠错电路、电压调节器、偏压管和存储单元阵列，其特征在于：电压调节器控制偏压管降低或增加存储单元阵列的电源电压；读写电路，用于当电源电压恢复到active模式，读取存储单元阵列内容，并将内容发送到ECC检错纠错电路，另外，读写电路也可将ECC改正的值写入存储单元阵列；ECC检错纠错电路，用于检错纠错，并将改正后的值通过读写电路写回存储单元阵列。
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