[发明专利]半导体晶片保护膜形成用薄片无效
| 申请号： | 201110189312.8 | 申请日： | 2011-07-01 |
| 公开（公告）号： | CN102382584A | 公开（公告）日： | 2012-03-21 |
| 发明（设计）人： | 市六信広;盐野嘉幸 | 申请（专利权）人： | 信越化学工业株式会社 |
| 主分类号： | C09J7/02 | 分类号： | C09J7/02;C09J171/12;C09J179/08;C09J133/08;C09J163/02;H01L21/683 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 崔香丹;张永康 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体晶片保护膜形成用薄片，用于在半导体晶片上形成保护膜，所述半导体晶片保护膜形成用薄片的特征在于，具备基材薄膜、剥离薄膜、以及被配置于前述基材薄膜与前述剥离薄膜之间的保护膜形成层，并且，该保护膜形成层是于前述基材薄膜的面上隔开规定间隔形成有多个，各个保护膜形成层的直径比作为形成前述保护膜的对象的半导体晶片的直径更小100μm至5mm，且固化后的前述保护膜形成层的弹性模量是1GPa至20GPa。通过本发明，可提供一种半导体晶片保护膜形成用薄片，其可在不污染晶片上的电路表面的情形下进行光学定向。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 晶片 保护膜 形成 薄片 | ||
【主权项】：
一种半导体晶片保护膜形成用薄片，用于在半导体晶片上形成保护膜，其特征在于，具备基材薄膜、剥离薄膜、以及被配置于前述基材薄膜与前述剥离薄膜之间的保护膜形成层，并且，该保护膜形成层是于前述基材薄膜的面上隔开规定间隔来形成有多个，各个保护膜形成层的直径比作为形成前述保护膜的对象的半导体晶片的直径更小100μm至5mm，且固化后的前述保护膜形成层的弹性模量是1GPa至20GPa。
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