[发明专利]发光二极管封装结构及其制造方法无效
申请号: | 201110190979.X | 申请日: | 2011-07-08 |
公开(公告)号: | CN102867818A | 公开(公告)日: | 2013-01-09 |
发明(设计)人: | 胡必强;许时渊 | 申请(专利权)人: | 展晶科技(深圳)有限公司;荣创能源科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L25/075 | 分类号: | H01L25/075;H01L33/48;H01L33/62;H01L33/64;H01L33/60;H01L33/00 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 518109 广东省深圳市宝*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 一种发光二极管封装结构,包括电极、与电极电连接的若干发光二极管及覆盖所述发光二极管的封装体,所述电极包括若干彼此间隔设置的金属层,该封装体与电极邻接的面设有与所述发光二极管对应的凹槽,所述发光二极管容置于凹槽内且通过电极垫与电极连接,该封装体靠近电极的外围部分围设有反射部。本发明还涉及一种发光二极管封装结构的制造方法。 | ||
搜索关键词: | 发光二极管 封装 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种发光二极管封装结构,包括电极、与电极电连接的若干发光二极管及覆盖所述发光二极管的封装体,其特征在于:所述电极包括若干彼此间隔设置的金属层,该封装体与电极邻接的面设有与所述发光二极管对应的凹槽,所述发光二极管容置于凹槽内且通过电极垫与电极连接,该封装体靠近电极的外围部分围设有反射部。
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