[发明专利]等离子体蚀刻方法无效
| 申请号： | 201110191042.4 | 申请日： | 2009-02-12 |
| 公开（公告）号： | CN102254813A | 公开（公告）日： | 2011-11-23 |
| 发明（设计）人： | 松山昇一郎;本田昌伸 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311;H01L21/027;G03F1/16 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种等离子体蚀刻方法，能够在进行施加有高偏置电压的各向异性高的等离子体蚀刻时，抑制ArF光致抗蚀剂的表面以及侧壁的破裂，能够抑制条痕、LER、LWR的发生，精度良好地形成希望形状的图案。以ArF光致抗蚀剂层(102)作为掩模利用处理气体的等离子体对形成于被处理基板上的SiN层(104)或者氧化硅层进行蚀刻。处理气体含有PFC气体和CF3I气体，CF3I气体的流量是，以相对于PFC气体的全部气体流量为1/3以上的流量添加CF3I气体，并且，向被处理基板施加13.56MHz以下的第一频率的高频偏压。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 蚀刻 方法 | ||
【主权项】：
一种等离子体蚀刻方法，其特征在于：该等离子体蚀刻方法以ArF光致抗蚀剂作为掩模，利用处理气体的等离子体对形成于被处理基板上的被蚀刻层进行蚀刻，其中，所述被蚀刻层为氮化硅层或者氧化硅层，所述处理气体含有PFC气体和CF3I气体，所述CF3I气体的流量是，以相对于所述PFC气体的全部气体流量为1/3以上的流量添加所述CF3I气体，并且，向所述被处理基板施加13.56MHz以下的第一频率的高频偏压。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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