[发明专利]半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 201110191168.1 | 申请日： | 2011-07-08 |
| 公开（公告）号： | CN102315219A | 公开（公告）日： | 2012-01-11 |
| 发明（设计）人： | 疋田智之;桥本尚义 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/092 | 分类号： | H01L27/092;H01L29/06;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 曲宝壮;王忠忠 |
| 地址： | 日本大阪*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 半导体器件及其制造方法。本发明提供的半导体器件包括：第一导电类型的半导体衬底；在半导体衬底中形成的第一导电类型的第一阱区域；在半导体衬底中形成且布置在与第一阱区域相邻的区域中的第二导电类型的外延区域；在外延区域的下部的区域中形成且具有比外延区域的杂质浓度高的杂质浓度的第二导电类型的掩埋区域；在第一阱区域和外延区域之间以及在第一阱区域和掩埋区域之间的边界形成的沟槽；在第一阱上形成的第一半导体元件；以及在外延区域上形成的第二半导体元件。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：第一导电类型的半导体衬底；在半导体衬底中形成的第一导电类型的第一阱区域；在半导体衬底中形成且布置在与第一阱区域相邻的区域中的第二导电类型的外延区域；在外延区域的下部的区域中形成且具有比外延区域的杂质浓度高的杂质浓度的第二导电类型的掩埋区域；在第一阱区域和外延区域之间以及在第一阱区域和掩埋区域之间的边界形成的沟槽；在第一阱区域上形成且具有第二导电类型的源极和漏极区域的第一半导体元件；以及在外延区域上形成且具有第一导电类型的源极和漏极区域的第二半导体元件，其中半导体衬底具有比第一阱区域的杂质浓度高的杂质浓度，且沟槽形成为比第一阱区域和掩埋区域深。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
