[发明专利]化学钯金镀膜结构及其制作方法、铜线或钯铜线接合的钯金镀膜封装结构及其封装工艺无效
申请号: | 201110192517.1 | 申请日: | 2011-06-28 |
公开(公告)号: | CN102605359A | 公开(公告)日: | 2012-07-25 |
发明(设计)人: | 林明宏;刘昆正;李英杰;邱国宾;郭蔡同 | 申请(专利权)人: | 台湾上村股份有限公司 |
主分类号: | C23C18/42 | 分类号: | C23C18/42;B32B15/01;H01L23/00;H01L21/60 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 闻卿 |
地址: | 中国台湾桃*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明提供化学钯金镀膜结构及其制作方法、铜线或钯铜线接合的钯金镀膜封装结构及其封装工艺。此化学钯金镀膜,其位于一焊垫上,包含有一位于焊垫上的钯镀层;与一位于钯镀层上的金镀层。此化学钯金镀膜以及打线接合于金镀层上的铜线或钯铜线成为封装结构。本发明亦提供此化学钯金镀膜的制作方法以及此封装结构的封装工艺。本发明以钯镀层来取代已知镍层的使用,以提升铜或铜钯线与焊垫的打线接合强度。 | ||
搜索关键词: | 化学 镀膜 结构 及其 制作方法 铜线 接合 封装 工艺 | ||
【主权项】:
一种化学钯金镀膜结构,其位于一焊垫上,该化学钯金镀膜包含有:一钯镀层,其位于该焊垫上;以及一金镀层,其位于该钯镀层上。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C18-00 通过液态化合物分解抑或覆层形成化合物溶液分解、且覆层中不留存表面材料反应产物的化学镀覆
C23C18-02 .热分解法
C23C18-14 .辐射分解法,例如光分解、粒子辐射
C23C18-16 .还原法或置换法,例如无电流镀
C23C18-54 .接触镀,即无电流化学镀
C23C18-18 ..待镀材料的预处理
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