[发明专利]氧化物掺杂的中低温混合导体透氧膜材料及其制备方法无效
| 申请号： | 201110192796.1 | 申请日： | 2011-07-11 |
| 公开（公告）号： | CN102367209A | 公开（公告）日： | 2012-03-07 |
| 发明（设计）人： | 金万勤;张广儒;刘郑堃;董学良;徐南平 | 申请（专利权）人： | 南京工业大学 |
| 主分类号： | C04B35/01 | 分类号： | C04B35/01;C04B35/32;C04B35/622 |
| 代理公司： | 南京天华专利代理有限责任公司 32218 | 代理人： | 徐冬涛;袁正英 |
| 地址： | 210009 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及氧化物掺杂的中低温混合导体透氧膜材料及其制备方法，是该材料为钙钛矿型氧化物与简单金属氧化物的组合物；其中钙钛矿型氧化物的通式为C1-xC’xDyD’1-yO3-δ，0≤x＜1，0≤y＜1，-0.5＜δ＜0.5，C、C’均为La、Pr、Nd、Sm、Gd、Ba或Sr中的任意一种元素，D、D’均为Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn或Bi任意一种元素；简单金属氧化物为氧化钒、氧化铌、氧化铊、氧化铬或氧化钼中的一种；简单氧化物的掺杂重量占组合物总重量的0.01～15％；本发明所提供的透氧膜材料通过少量掺杂简单氧化物即可大幅度提高的主体材料在低氧分压下的稳定性，并且维持材料的高的透氧能力，更具有优秀的中低温表现，适合低氧分压下的长时间操作，满足大规模工业化应用要求。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化物 掺杂 低温 混合 导体 透氧膜 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
氧化物掺杂的中低温混合导体透氧膜材料，其特征在于该材料为钙钛矿型氧化物与简单金属氧化物的组合物；其中钙钛矿型氧化物的通式为C1‑xC’xDyD’1‑yO3‑δ，0≤x＜1，0≤y＜1，‑0.5＜δ＜0.5，C、C’均为La、Pr、Nd、Sm、Gd、Ba或Sr中的任意一种元素，D、D’均为Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn或Bi任意一种元素；简单金属氧化物为氧化钒、氧化铌、氧化铊、氧化铬或氧化钼中的一种；其中简单氧化物的掺杂重量占组合物总重量的0.01～15％。
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