[发明专利]包含铜-铝电路连线的集成电路结构及其制备方法无效
| 申请号： | 201110196674.X | 申请日： | 2011-07-08 |
| 公开（公告）号： | CN102760757A | 公开（公告）日： | 2012-10-31 |
| 发明（设计）人： | 苏国辉;陈逸男;刘献文 | 申请（专利权）人： | 南亚科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/43 | 分类号： | H01L29/43;H01L29/41;H01L21/768 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 冯志云;郭晓东 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种包含铜-铝电路连线的集成电路结构及其制备方法，其中该铜-铝电路连线包含一氮化硅铜(CuSiN)层。根据本发明的一实施例的包含铜-铝电路连线的集成电路结构制备方法，其包含以下步骤：提供一铜层；形成一包含氮化硅铜层的阻障层于该铜层上；形成一湿润层于该阻障层上；及形成一铝层于该湿润层上。本发明提供一种包含铜-铝电路连线的集成电路结构及其制备方法，以减少阻障层厚度及防止填隙问题(例如悬突及其他侧边效应)。 | ||
| 搜索关键词： | 包含 电路 连线 集成电路 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种包含铜‑铝电路连线的集成电路结构，其特征在于，包括：一铜层(16)；一包含氮化硅铜层(501)的阻障层(50A)，设置于该铜层(16)上；一铝层(52)，设置于该阻障层(50A)的上方相对位置；及一湿润层(56)，设置于该阻障层(50A)与该铝层(52)之间。
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