[发明专利]一种在手机壳体上制备薄膜太阳能电池的方法无效
申请号: | 201110198171.6 | 申请日: | 2011-07-06 |
公开(公告)号: | CN102867888A | 公开(公告)日: | 2013-01-09 |
发明(设计)人: | 刘莹 | 申请(专利权)人: | 刘莹 |
主分类号: | H01L31/20 | 分类号: | H01L31/20 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 214213 江苏省宜兴*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种在手机壳体上制备薄膜太阳能电池的方法。主要包括背壳体成形,镀铝膜,刻铝膜,镀非晶硅PIN结,刻PIN结,镀透明导电极,刻透明导电极,镀增透膜工序。其中背壳体成形采用传统塑料成形方法,使引出电极、旁路二极管与壳体形成一体。镀铝膜主要采用真空镀膜方式,可以为蒸发镀膜或者溅射镀膜。非晶硅PIN结为PECVD镀膜方式,透明导电极采用溅射镀膜方式,三道刻线工序均采用激光划线方式。增透膜采用溅射镀膜方式。利用此方式可以大量生产可为手机电池补偿电能的太阳能电池结构,增加手机的待机时间。 | ||
搜索关键词: | 一种 手机 壳体 制备 薄膜 太阳能电池 方法 | ||
【主权项】:
一种在手机壳体上制备薄膜太阳能电池的方法,主要包括背壳体成形,镀铝膜,刻铝膜,镀非晶硅PIN结,刻PIN结,镀透明导电极,刻透明导电极,镀增透膜工序,其特征在于:所述背壳体成形时,将引出电极与旁路二极管与其形成一体式结构;采用蒸发方式镀制铝膜,用以形成其背电极;采用PECVD方式镀PIN结,用以形成光电转换单元;采用溅射方式镀透明导电极,用以形成太阳能电池的窗口层;采用溅射方式镀增透膜,用以增加光线的利用效率。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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