[发明专利]光控投射电机无效

专利信息
申请号: 201110198344.4 申请日: 2011-07-15
公开(公告)号: CN102645132A 公开(公告)日: 2012-08-22
发明(设计)人: 彭世雄;彭波;彭德真 申请(专利权)人: 彭世雄
主分类号: F41B6/00 分类号: F41B6/00
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 102488 北*** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开了一种光控电磁投射技术,具体指光控投射电机,由轨道磁轭、多相分布绕组、控制绕组和光栅及半导体控制电路组成定子投射电枢(加速器),由直流或多相交流电源供电。投射电枢产生有梯度的受控运动磁场,将投射体匀加速到同步发射速度,用光栅控制技术(投射体自影位置跟踪)控制多相分布绕组换相,使运动磁场与投射体同步,用控制线圈控制投射体的发射姿态。根据投射体的发射要求,投射电机的定子投射电枢,可以是直线或螺旋加速型;轨道可以是单面、双面和多面管道型。投射体可以是弹丸、炮弹、导弹、卫星和飞机等等,对于不同的投射体,有不同的投射电机,它是一种新的投射技术途径,形成一门新的‘投射电机学’。用途:军事与民用。
搜索关键词: 光控 投射 电机
【主权项】:
本发明提供一种光控电磁投射技术,具体指投射电机,由轨道磁轭、多相分布加速绕组、控制绕组和光栅及半导体控制电路组成定子投射电枢,由直流或交流电源供电,其特征是:在加速轨道磁轭上设置多相分布绕组、控制绕组和光栅,多相分布绕组产生有梯度的运动磁场(或旋转磁场),将投射体匀加速到磁场运动的同步发射速度;用光栅控制技术(投射体自影位置跟踪)控制多相分布绕组换相,使运动磁场与投射体同步,利用控制线圈控制投射体的发射姿态。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于彭世雄,未经彭世雄许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201110198344.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top