[发明专利]半导体集成电路

摘要

本发明的半导体集成电路上搭载多个具有梳状电容(10)的模拟宏，梳状电容(10)具有梳状电极(11)及电极(12)，电极(11)的梳齿部(13)与电极(12)的梳齿部(14)相咬合而形成，结果使得电极(11)的梳齿部(13)与电极(12)的梳齿部(14)交替地平行排列，其梳齿部间隔S按照表示实际电容值与理想电容值之间的误差的绝对精度或它跟与之接近的梳状电容间的电容值之差的相对精度而不同。可提供具有确保高的电容精度的梳状电容的高精度模拟宏，及搭载有高集成模拟宏的半导体集成电路。

主权项

一种搭载多个具有梳状电容的模拟宏的半导体集成电路，其中，所述梳状电容具有梳状的第1电极和第2电极，所述梳状电容是所述第1电极与所述第2电极以所述第1电极的梳齿部和所述第2电极的梳齿部交替地平行排列的方式相咬合而形成的，该半导体集成电路的特征在于，作为所述模拟宏至少搭载有滤波器，在所述多个模拟宏的梳状电容中，所述滤波器的梳状电容具有比其它梳状电容宽的梳齿部间隔。