[发明专利]半导体发光结构有效
申请号: | 201110200357.0 | 申请日: | 2011-07-18 |
公开(公告)号: | CN102738346A | 公开(公告)日: | 2012-10-17 |
发明(设计)人: | 屠德威;温伟值;王泰钧;赖柏宏;许志平 | 申请(专利权)人: | 广镓光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L33/44 | 分类号: | H01L33/44 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 臧建明 |
地址: | 中国台湾台中市大雅*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 一种半导体发光结构,包括第一导电性半导体层、第二导电性半导体层、发光层、第一电极、绝缘层及第一粘着层。发光层配置于第一导电性半导体层与第二导电性半导体层之间。第一电极配置于第一导电性半导体层上,其中第一电极具有第一上表面及第一侧表面。绝缘层覆盖部分第一导电性半导体层、第一电极的第一侧表面及第一电极的第一上表面的边缘,其中绝缘层具有第一开口,以暴露出第一电极的部分第一上表面。第一粘着层配置于第一上表面的边缘与绝缘层之间,以接合第一上表面与绝缘层。 | ||
搜索关键词: | 半导体 发光 结构 | ||
【主权项】:
一种半导体发光结构,其特征在于,包括:第一导电性半导体层;第二导电性半导体层;发光层,配置于所述第一导电性半导体层与所述第二导电性半导体层之间;第一电极,配置于所述第一导电性半导体层上,其中所述第一电极具有背对于所述第一导电性半导体层的第一上表面及连接所述第一上表面与所述第一导电性半导体层的第一侧表面;绝缘层,覆盖部分所述第一导电性半导体层、所述第一电极的所述第一侧表面及所述第一电极的所述第一上表面的边缘,其中所述绝缘层具有第一开口,以暴露出所述第一电极的部分所述第一上表面,且所述绝缘层的材质为不含金属元素的化合物;以及第一粘着层,配置于所述第一上表面的边缘与所述绝缘层之间,以接合所述第一上表面与所述绝缘层。
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