[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201110201271.X | 申请日： | 2011-07-19 |
| 公开（公告）号： | CN102891175A | 公开（公告）日： | 2013-01-23 |
| 发明（设计）人： | 三重野文健 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/08;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 金晓 |
| 地址： | 100176 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括：位于衬底上的栅极结构，位于所述栅极结构两侧的含锗半导体层，在所述含锗半导体层之间外延生长的被掺杂的外延半导体层，所述含锗半导体层与所述外延半导体层的底面位于同一水平面上。其中，所述外延半导体层用作沟道区，并且含锗半导体层用作源漏延伸区根据本发明，能够有利地使得源漏延伸区的结深浅(或厚度小)且掺杂浓度高。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件包括：位于衬底上的栅极结构；位于所述栅极结构两侧的含锗半导体层；在所述含锗半导体层之间外延生长的被掺杂的外延半导体层；所述含锗半导体层与所述外延半导体层的底面位于同一水平面上；其中，所述外延半导体层用作沟道区，并且含锗半导体层用作源漏延伸区。
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