[发明专利]含有多晶硅有源层的薄膜晶体管、其制造方法及阵列基板无效

专利信息
申请号: 201110209184.9 申请日: 2011-07-25
公开(公告)号: CN102709185A 公开(公告)日: 2012-10-03
发明(设计)人: 姜春生 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司
主分类号: H01L21/336 分类号: H01L21/336;H01L21/77;H01L29/786;H01L27/12
代理公司: 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 代理人: 黄灿;赵爱军
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明提供一种含有多晶硅有源层的薄膜晶体管、其制造方法及阵列基板,所述方法包括:在基板上沉积非晶硅层,并对非晶硅层进行构图,形成包括源区、漏区和沟道区的有源层;在沟道区上方形成栅绝缘层和栅电极;在形成了栅电极的基板上沉积诱导金属层;通过离子注入的方式在源区和漏区掺入杂质,离子注入时部分诱导金属被轰击进入源区和漏区;去除诱导金属层;对掺杂后的有源层进行热处理,以激活杂质,并使有源层在诱导金属的作用下发生金属诱导晶化和金属诱导横向晶化;形成源电极和漏电极。本发明能够减少多晶硅TFT的制备时间,降低多晶硅TFT的制造成本。
搜索关键词: 含有 多晶 有源 薄膜晶体管 制造 方法 阵列
【主权项】:
一种制造含有多晶硅有源层的薄膜晶体管的方法,其特征在于,包括:在基板上沉积非晶硅层,并对非晶硅层进行构图,形成包括源区、漏区和沟道区的有源层;在沟道区上方形成栅绝缘层和栅电极;在形成了栅电极的基板上沉积诱导金属层;通过离子注入的方式在源区和漏区掺入杂质,离子注入时部分诱导金属被轰击进入源区和漏区;去除诱导金属层;对掺杂后的有源层进行热处理,以激活杂质,并使有源层在诱导金属的作用下发生金属诱导晶化和金属诱导横向晶化;形成源电极和漏电极。
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