[发明专利]含有多晶硅有源层的薄膜晶体管、其制造方法及阵列基板无效
| 申请号： | 201110209184.9 | 申请日： | 2011-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN102709185A | 公开（公告）日： | 2012-10-03 |
| 发明（设计）人： | 姜春生 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/77;H01L29/786;H01L27/12 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 黄灿;赵爱军 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种含有多晶硅有源层的薄膜晶体管、其制造方法及阵列基板，所述方法包括：在基板上沉积非晶硅层，并对非晶硅层进行构图，形成包括源区、漏区和沟道区的有源层；在沟道区上方形成栅绝缘层和栅电极；在形成了栅电极的基板上沉积诱导金属层；通过离子注入的方式在源区和漏区掺入杂质，离子注入时部分诱导金属被轰击进入源区和漏区；去除诱导金属层；对掺杂后的有源层进行热处理，以激活杂质，并使有源层在诱导金属的作用下发生金属诱导晶化和金属诱导横向晶化；形成源电极和漏电极。本发明能够减少多晶硅TFT的制备时间，降低多晶硅TFT的制造成本。 | ||
| 搜索关键词： | 含有 多晶 有源 薄膜晶体管 制造 方法 阵列 | ||
【主权项】：
一种制造含有多晶硅有源层的薄膜晶体管的方法，其特征在于，包括：在基板上沉积非晶硅层，并对非晶硅层进行构图，形成包括源区、漏区和沟道区的有源层；在沟道区上方形成栅绝缘层和栅电极；在形成了栅电极的基板上沉积诱导金属层；通过离子注入的方式在源区和漏区掺入杂质，离子注入时部分诱导金属被轰击进入源区和漏区；去除诱导金属层；对掺杂后的有源层进行热处理，以激活杂质，并使有源层在诱导金属的作用下发生金属诱导晶化和金属诱导横向晶化；形成源电极和漏电极。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司，未经京东方科技集团股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201110209184.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：金属结构有序增强的聚合物复合材料转接板
- 下一篇：一种汽车空调模式开关
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
