[发明专利]半导体封装结构以及半导体封装工艺有效
申请号: | 201110209931.9 | 申请日: | 2011-07-26 |
公开(公告)号: | CN102244062A | 公开(公告)日: | 2011-11-16 |
发明(设计)人: | 陈光雄;王圣民;张勖帆 | 申请(专利权)人: | 日月光半导体制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/488 | 分类号: | H01L23/488;H01L21/60 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 彭久云 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明公开一种半导体封装结构以及半导体封装工艺。该封装结构包括基板、芯片、至少一金属叠层以及至少一铜导线。基板的承载面上设有至少一第一接垫。金属叠层分别配置于第一接垫上。每一金属叠层包括镍层,位于每一第一接垫上,其中镍层的厚度大于等于1.5微米,小于等于3微米。每一金属叠层还包括钯层位于每一镍层上,以及金层位于每一钯层上。芯片被贴附至承载面,且具有第一表面。第一表面上设有多个第二接垫。铜导线分别连接于第二接垫与相应的金属叠层之间,以电性连接芯片与基板的第一接垫。 | ||
搜索关键词: | 半导体 封装 结构 以及 工艺 | ||
【主权项】:
一种半导体封装结构,包括:基板,具有承载面,且该承载面上设有至少一第一接垫;芯片,具有第一表面以及相对于该第一表面的第二表面,该芯片通过该第二表面贴附于该基板的该承载面,且该第一表面上设有至少一第二接垫;至少一金属叠层,设置于该第一接垫上,每一金属叠层包括镍层、钯层以及金层,其中该钯层位于该镍层与该金层之间,而该镍层位于该钯层与该第一接垫之间,且该镍层的厚度大于等于1.5微米,小于等于3微米;以及至少一铜导线,分别连接于该第二接垫与相应的该金属叠层之间,以电性连接该芯片与该基板的该第一接垫。
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