[发明专利]半导体装置、引线架集合体及其制造方法无效

专利信息
申请号: 201110211522.2 申请日: 2011-07-27
公开(公告)号: CN102347424A 公开(公告)日: 2012-02-08
发明(设计)人: 伊东健一;大中原繁寿;田村佳和;富士原洁 申请(专利权)人: 松下电器产业株式会社
主分类号: H01L33/48 分类号: H01L33/48;H01L33/62;H01L33/00
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 汪惠民
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供一种半导体装置、引线架集合体及其制造方法,其在引线架的单面密封的情况下也能够同时实现组装工序中的可靠的保持和组装工序后的容易的分离。半导体装置具备引线架(101)、保持在引线架(101)上的半导体元件(103)、以围绕半导体元件(103)的方式形成在引线架(101)上且覆盖引线架(101)的侧面并使引线架(101)的下表面露出的框体(105)。框体(105)在其侧面具有至少一个凹部(105a)。凹部(105a)的顶部的位置为与引线架(101)的上表面相等或比其低的位置,其底部的位置为比引线架(101)的下表面高的位置。
搜索关键词: 半导体 装置 引线 集合体 及其 制造 方法
【主权项】:
一种半导体装置,其具备:引线架;半导体元件,其保持在所述引线架上;框体,其以包围所述半导体元件的方式形成在所述引线架上,且覆盖所述引线架的侧面并使所述引线架的下表面露出,所述框体在其侧面具有至少一个凹部,所述凹部的顶部的位置为与所述引线架的上表面相等或比所述引线架的上表面低的位置,所述凹部的底部的位置为比所述引线架的下表面高的位置。
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