[发明专利]倒装芯片型半导体背面用膜、半导体背面用条状膜的生产方法和倒装芯片型半导体器件有效
| 申请号： | 201110212301.7 | 申请日： | 2011-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN102382585A | 公开（公告）日： | 2012-03-21 |
| 发明（设计）人： | 志贺豪士;高本尚英;浅井文辉 | 申请（专利权）人： | 日东电工株式会社 |
| 主分类号： | C09J7/02 | 分类号： | C09J7/02;H01L23/29 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及倒装芯片型半导体背面用膜，其要形成于倒装芯片连接至被粘物上的半导体元件的背面，所述倒装芯片型半导体背面用膜具有在1到8×103(％/GPa)的范围内的比率A/B，其中A是倒装芯片型半导体背面用膜在热固化前在23℃下的伸长率(％)，和B是倒装芯片型半导体背面用膜在热固化前在23℃下的拉伸贮能模量(GPa)。 | ||
| 搜索关键词： | 倒装 芯片 半导体 背面 条状 生产 方法 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种倒装芯片型半导体背面用膜，其要形成于倒装芯片连接至被粘物上的半导体元件的背面，所述倒装芯片型半导体背面用膜具有在1至8×103(％/GPa)的范围内的比率A/B，其中A是所述倒装芯片型半导体背面用膜在热固化前在23℃下的伸长率(％)，和B是所述倒装芯片型半导体背面用膜在热固化前在23℃下的拉伸贮能模量(GPa)。
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