[发明专利]BiCMOS工艺中的垂直寄生型PNP器件

摘要

本发明公开了一种BiCMOS工艺中的垂直寄生型PNP器件，发射区的版图结构呈一工字形状，发射区的中间部分为一条状结构、发射区的两端都为和发射区的中间部分垂直的条状结构；发射区的中间部分处于有源区中并延伸到有源区两侧的所述浅槽场氧上，发射区的两端都处于有源区两侧的浅槽场氧上；发射区的中间部分和基区形成接触，在发射区的两端上形成金属接触并引出发射极。本发明能够减少发射区和基区的相交面积、以及基区和集电区的相交面积，从而能减少器件的寄生电容，并提高器件在高频段的工作速度，同时也能提高器件的工作可靠性。

主权项

一种BiCMOS工艺中的垂直寄生型PNP器件，形成于硅衬底上，有源区由浅槽场氧隔离，在截面上，所述垂直寄生型PNP器件包括：一集电区，由形成于所述有源区中的一P型离子注入区组成，所述集电区的深度大于或等于所述浅槽场氧的底部深度；一赝埋层，由形成于所述集电区两侧的所述浅槽场氧底部的P型离子注入区组成，所述赝埋层横向延伸进入所述有源区并和所述集电区形成接触，通过在所述赝埋层顶部的所述浅槽场氧中形成的深孔接触引出集电极；一基区，由形成于所述集电区上部并和所述集电区相接触的一N型离子注入区组成；一发射区，形成于所述基区上部并和所述基区相接触；一N型多晶硅，所述N型多晶硅形成于所述基区上部并和所述基区相接触，通过在所述N型多晶硅上做金属接触引出基极；其特征在于：在俯视平面上，所述发射区的版图结构呈一工字形状，所述发射区的中间部分为一条状结构、所述发射区的两端都为和所述发射区的中间部分垂直的条状结构；所述发射区的中间部分处于所述有源区中并延伸到所述有源区两侧的所述浅槽场氧上，所述发射区的两端都处于所述有源区两侧的所述浅槽场氧上；所述发射区的中间部分和所述基区形成接触，在所述发射区的两端上形成金属接触并引出发射极。