[发明专利]薄膜晶体管阵列面板制造方法

摘要

一种薄膜晶体管阵列面板制造方法，包括：在栅绝缘层和栅极线上顺序形成第一硅层、第二硅层、下金属层和上金属层；在上金属层上形成第一膜图案；通过蚀刻上金属层和下金属层，形成第一下金属图案和包括突出部的第一上金属图案；通过蚀刻第一硅层和第二硅层，形成第一硅图案和第二硅图案；通过灰化第一膜图案形成第二膜图案；通过蚀刻第一上金属图案形成第二上金属图案；通过蚀刻第一下金属图案以及第一和第二硅图案，形成数据线和薄膜晶体管；以及在所得结构上形成钝化层和像素电极。

主权项

一种薄膜晶体管阵列面板制造方法，包括：在绝缘基板上形成栅极线，所述栅极线包括栅电极；在所述栅极线上形成栅绝缘层；在所述栅绝缘层上顺序形成第一非晶硅层、第二非晶硅层、下数据金属层和上数据金属层；在所述上数据金属层上形成第一光敏膜图案，所述第一光敏膜图案包括第一部分和比所述第一部分厚的第二部分；通过使用所述第一光敏膜图案作为掩模蚀刻所述上数据金属层和所述下数据金属层来执行第一蚀刻处理，以形成第一下数据金属图案和第一上数据金属图案，所述第一上数据金属图案包括位于其周界的向外延伸的突出部；通过使用所述第一光敏膜图案作为掩模蚀刻所述第一非晶硅层和所述第二非晶硅层来执行第二蚀刻处理，以形成第一非晶硅层图案和第二非晶硅层图案；灰化所述第一光敏膜图案以形成第二光敏膜图案；通过使用所述第二光敏膜图案作为掩模蚀刻所述第一上数据金属图案来执行第三蚀刻处理，以形成第二上数据金属图案；通过使用所述第二光敏膜图案作为掩模蚀刻所述第一下数据金属图案、所述第一非晶硅层图案和所述第二非晶硅层图案来执行第四蚀刻处理，以形成数据线、从所述数据线延伸的源电极、漏电极、半导体以及位于所述源电极和所述漏电极与所述半导体之间的欧姆接触层；在所述数据线、所述漏电极和所述栅绝缘层上形成钝化层；以及在所述钝化层上形成像素电极，使得所述像素电极连接至所述漏电极。