[发明专利]槽形栅多晶硅结构的联栅晶体管及其制作方法有效
| 申请号： | 201110214439.0 | 申请日： | 2011-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN102751322A | 公开（公告）日： | 2012-10-24 |
| 发明（设计）人： | 李思敏 | 申请（专利权）人： | 李思敏 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06;H01L21/331 |
| 代理公司： | 北京北新智诚知识产权代理有限公司 11100 | 代理人： | 张卫华 |
| 地址： | 100011 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及槽形栅多晶硅结构的联栅晶体管及其制造方法，联栅晶体管的主要特征是：发射区与基区为同一个扩散窗口；覆盖发射极金属层的钝化层延伸到掺杂多晶硅层的上表面；覆盖栅极金属层的钝化层延伸到P型槽形栅区汇流条的槽的底面。其基区与发射区为自对准结构，其多晶硅层与接触孔也为自对准结构。本发明采用5次光刻工艺技术，节省了两次光刻，节约了20-30％的成本。 | ||
| 搜索关键词： | 槽形栅 多晶 结构 晶体管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种槽形栅多晶硅结构的联栅晶体管，在下层为N型低电阻率层、上层为N型高电阻率层的硅衬底片的上表面有多条N型的高掺杂浓度的发射区，发射区的上面连接着N型的掺杂多晶硅层，该掺杂多晶硅层与发射极金属层连接，每条发射区的周围有P型的基区，基区的侧面连着掺杂浓度比基区高、深度比基区深度深的P型的槽形栅区和与P型槽形栅区正交的P型槽形栅区汇流条，每条P型槽形栅区的槽的底面和侧面覆盖着绝缘层，侧面绝缘层延伸到硅衬底片的上表面，栅区与栅极金属层相连，发射极金属层与栅极金属层被钝化层覆盖，硅衬底片的上层位于基区以下和栅区以下的部分为集电区，硅衬底片的下层是集电极，集电极的下表面与集电极金属层相连，其特征在于：发射区与基区为同一个扩散窗口；覆盖发射极金属层的钝化层延伸到掺杂多晶硅层的上表面；覆盖栅极金属层的钝化层延伸到P型槽形栅区汇流条的槽的底面。
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