[发明专利]半导体元件及其制造方法

摘要

一种半导体元件及其制造方法。半导体元件的制造方法包括下列步骤。于衬底中形成多个沟道，其中各沟道具有第一侧壁及与第一侧壁相对的第二侧壁。于沟道中分别形成多个导体结构，各导体结构具有掺杂区，各掺杂区形成于各沟道的第一侧壁中。于衬底上顺应性地形成衬层以覆盖导体结构。进行掺质植入步骤，以使衬层形成改质部分及未改质部分。移除衬层的一部分以暴露出靠近沟道的第二侧壁处的部分导体结构。以剩余的衬层作为掩膜移除部分导体结构以形成多个开口。于开口中填入多个隔离结构。

主权项

一种半导体元件的制造方法，包括：于一衬底中形成多个沟道，其中各所述沟道具有一第一侧壁及与该第一侧壁相对的一第二侧壁；于所述沟道中分别形成多个导体结构，各所述导体结构具有一掺杂区，各所述掺杂区形成于各所述沟道的该第一侧壁中；于该衬底上顺应性地形成一衬层，以覆盖所述导体结构；进行一掺质植入步骤，以使该衬层形成一改质部分以及一未改质部分；移除该衬层的一部分，以暴露出靠近所述沟道的所述第二侧壁处的部分所述导体结构；以剩余的该衬层作为掩膜，移除部分所述导体结构，以形成多个开口；以及于所述开口中填入多个隔离结构。