[发明专利]薄膜晶体管、具有此薄膜晶体管的像素结构及电路结构有效
| 申请号： | 201110216928.X | 申请日： | 2011-07-22 |
| 公开（公告）号： | CN102254938A | 公开（公告）日： | 2011-11-23 |
| 发明（设计）人： | 吴贞仪;高逸群;黄俊尧 | 申请（专利权）人： | 友达光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/417 | 分类号： | H01L29/417;H01L29/786 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 梁挥;鲍俊萍 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种薄膜晶体管、具有此薄膜晶体管的像素结构及电路结构。该薄膜晶体管配置于基板上。薄膜晶体管包括栅极、栅极绝缘层、源极、通道层以及漏极。栅极绝缘层覆盖于栅极及基板上。源极配置于部份栅极绝缘层上。通道层配置于栅极绝缘层上，且覆盖栅极上方的部分源极。漏极配置于通道层上且电性连接于通道层。本发明利用不同层导电层制作薄膜晶体管的源极与漏极，并且源极与漏极分别在通道层前后制作而成。本发明的薄膜晶体管中，源极与漏极之间的水平距离不受工艺极限的限制，因此通道长度可以随不同需求而调整以具有理想的载子迁移率。如此一来，具有本发明的薄膜晶体管的像素结构可以有更好的反应速率。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 具有 像素 结构 电路 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管，配置于一基板上，其特征在于，该薄膜晶体管包括：一栅极；一栅极绝缘层，覆盖于该栅极及该基板上；一源极，配置于部份该栅极绝缘层上；一通道层，配置于该栅极绝缘层上，且覆盖该栅极上方的部分该源极；以及一漏极，配置于该通道层上且电性连接于该通道层。
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